最近，届北京光Sn箔为负极和石墨为正极的Ca离子DIB，分析了Ca-Sn系统的电化学反应机理。

在20℃下，新展TFSI-嵌入石墨的最大化学计量约（TFSI）C26，在60℃下，为（TFSI）C20。届北京光很少有报道研究了Ca-Sn系统的电化学反应机理。

新展3H3C结构使正极具有增强的电子和阴离子的电化学反应动力学特征。然而，届北京光DIB技术仍然处于基础研究的阶段，仍需要进一步提高能量密度和循环寿命。因此，新展必须解决体积膨胀问题，以实现具有高性能的低成本DIB。

（d，届北京光c）中的盒装区域的详细视图。新展（b）电池成本占2016-2030年大型电池电动汽车的比例。

因此，届北京光采取有效措施改善负极与非锂阳离子可逆合金化的反应动力学是必不可少的，这对于开发高性能的低成本DIB具有重要意义。

新展图16有机正极材料及其反应机理：（a）在加入六苯并苯正极时PF6-阴离子可能位点的示意图。届北京光图10（a）锂-铝体系在423℃的库仑滴定曲线。

通过电子衍射确定NaSn2，新展Na9Sn4和Na15Sn4的中间相，给出施加过程中SnNP的结构演变。与LIB相比，届北京光目前的DIB的研究仍处于初级阶段。

新展（l）Sn-石墨系统的第一种基于K离子的DIB。基于上述多孔结构的优点，届北京光合成多孔软碳（SC）作为负极，届北京光分离的主链之间的交联条纹（图17a），获得更大的层间距离（SC为0.39nm对比石墨的0.34nm）（图17b），将促进Na+的嵌入并提高速率性能。